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TLV341IDBVT、TLV341IDBVTG4、TLV341IDBVR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV341IDBVT TLV341IDBVTG4 TLV341IDBVR

描述 低电压轨到轨输出CMOS运算AMPLIFLERS带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFLERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算AMPLIFLERS带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFLERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

供电电流 75 µA 75 µA 75 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 75 dB - 75 dB

输入补偿漂移 1.90 µV/K 1.90 µV/K 1.90 µV/K

带宽 2.20 MHz 2.20 MHz 2.20 MHz

转换速率 900 mV/μs 900 mV/μs 900 mV/μs

增益频宽积 2.3 MHz 2.3 MHz 2.3 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 2.3 MHz - 2.3 MHz

共模抑制比(Min) 75 dB - 75 dB

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 1.5 V - 1.5 V

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.15 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free