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DS1270AB-100、DS1270AB-100#、DS1270AB-70#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270AB-100 DS1270AB-100# DS1270AB-70#

描述 Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.74INCH, DIP-36Ic Nvsram 16Mbit 100ns 36dip - Ds1270ab-100IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 36

封装 EDIP-36 DIP-36 DIP-36

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - - 70.0 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 70 ns

内存容量 - - 16000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 EDIP-36 DIP-36 DIP-36

长度 53.34 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 10.29 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead PB free 无铅