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CY14B108M-ZSP45XI、CY14B108N-ZSP45XI、CY14B108M-ZSP45XIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B108M-ZSP45XI CY14B108N-ZSP45XI CY14B108M-ZSP45XIT

描述 8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock非易失 RAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作电压 - 3 V -

供电电流 57 mA 57 mA -

针脚数 - 54 -

时钟频率 - 1 MHz -

存取时间 45 ns 45 ns -

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 1 W -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

长度 - 22.52 mm -

宽度 - 10.262 mm -

高度 - 1.05 mm -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free PB free 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a