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CY14B108M-ZSP45XI

CY14B108M-ZSP45XI

数据手册.pdf

8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM with Real Time Clock

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 8Mb 512K x 16 Parallel 45ns 54-TSOP II


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CY14B108M-ZSP45XI


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CY14B108M-ZSP45XI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 57 mA

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY14B108M-ZSP45XI引脚图与封装图
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在线购买CY14B108M-ZSP45XI
型号 制造商 描述 购买
CY14B108M-ZSP45XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM with Real Time Clock 搜索库存
替代型号CY14B108M-ZSP45XI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY14B108M-ZSP45XI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: TSOP

当前型号

8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM with Real Time Clock

当前型号

型号: CY14B108N-ZSP45XI

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP

完全替代

非易失 RAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

CY14B108M-ZSP45XI和CY14B108N-ZSP45XI的区别

型号: CY14B108M-ZSP45XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP

完全替代

8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM with Real Time Clock

CY14B108M-ZSP45XI和CY14B108M-ZSP45XIT的区别

型号: CY14B108N-ZSP45XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP

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8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM

CY14B108M-ZSP45XI和CY14B108N-ZSP45XIT的区别