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70V657S12BCI、70V657S12BFGI、70V657S12BFI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S12BCI 70V657S12BFGI 70V657S12BFI

描述 Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 256 208 208

封装 CABGA-256 CABGA-208 CABGA-208

存取时间 12 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) 3.45 V 3.45 V -

电源电压(Min) 3.15 V 3.15 V -

长度 17 mm 15 mm 15 mm

宽度 17 mm 15 mm 15 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

封装 CABGA-256 CABGA-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead