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70V657S12BFGI

70V657S12BFGI

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类
70V657S12BFGI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V

电源电压Max 3.45 V

电源电压Min 3.15 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 208

封装 CABGA-208

外形尺寸

长度 15 mm

宽度 15 mm

高度 1.4 mm

封装 CABGA-208

厚度 1.40 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

70V657S12BFGI引脚图与封装图
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在线购买70V657S12BFGI
型号 制造商 描述 购买
70V657S12BFGI Integrated Device Technology 艾迪悌 Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208 搜索库存
替代型号70V657S12BFGI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 70V657S12BFGI

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装: CABGA 208Pin

当前型号

Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

当前型号

型号: 70V657S12DRI

品牌: 艾迪悌

封装: 208-BFQFP 208Pin

完全替代

SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP Tray

70V657S12BFGI和70V657S12DRI的区别

型号: 70V657S12BF8

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 208Pin

完全替代

IC SRAM 1.125Mbit 12NS 208CABGA

70V657S12BFGI和70V657S12BF8的区别

型号: 70V657S12BFGI8

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 208Pin

完全替代

IC SRAM 1.125Mbit 12NS 208CABGA

70V657S12BFGI和70V657S12BFGI8的区别