锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BZD27C12P-E3-08、BZD27C12P-GS08、BZD27C12P-GS18对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C12P-E3-08 BZD27C12P-GS08 BZD27C12P-GS18

描述 Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2Pin齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 -

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

击穿电压 - 14.1 V -

耗散功率 - 800 mW 800 mW

测试电流 - 50 mA 50 mA

稳压值 - 12.05 V 12.05 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW -

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.9 mm 1.9 mm

高度 - 0.98 mm 0.98 mm

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -