
击穿电压 14.1 V
耗散功率 800 mW
测试电流 50 mA
稳压值 12.05 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
长度 2.9 mm
宽度 1.9 mm
高度 0.98 mm
封装 DO-219AB
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BZD27C12P-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BZD27C12P-GS08 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-219AB 14.1V | 当前型号 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 当前型号 | |
型号: BZD27C12P-GS18 品牌: 威世 封装: DO-219AB | 完全替代 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | BZD27C12P-GS08和BZD27C12P-GS18的区别 | |
型号: BZD27C12P 品牌: 台湾半导体 封装: SMD | 功能相似 | TAIWAN SEMICONDUCTOR BZD27C12P 单管二极管 齐纳, 12 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C | BZD27C12P-GS08和BZD27C12P的区别 | |
型号: BZD27C12P-E3-08 品牌: Vishay Intertechnology 封装: | 功能相似 | Zener Diode, 12V VZ, 5.39%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2Pin | BZD27C12P-GS08和BZD27C12P-E3-08的区别 |