IRFL014PBF、NTF3055L108T1G、IRFL014TRPBF对比区别

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型号 IRFL014PBF NTF3055L108T1G IRFL014TRPBF

描述 VISHAY  IRFL014PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，60V，ON SemiconductorVISHAY  IRFL014TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 4

封装 SOT-223-3 TO-261-4 SOT-223-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 2.70 A 3.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 3 4 4

漏源极电阻 0.2 Ω 0.12 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 2.1 W 3.1 W

阈值电压 4 V 1.68 V 4 V

输入电容 300pF @25V 313pF @25V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 68 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.70 A 3.00 A 2.70 A

上升时间 50 ns 35 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.3 W -

下降时间 19 ns 27 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 1.3W (Ta) 3.1 W

长度 6.7 mm 6.5 mm 6.7 mm

宽度 3.7 mm 3.5 mm 3.7 mm

高度 1.8 mm 1.57 mm 1.8 mm

封装 SOT-223-3 TO-261-4 SOT-223-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 - Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99