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LMV722IDG4、LMV722IDRG4、LMV722IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV722IDG4 LMV722IDRG4 LMV722IDR

描述 10 - MHz的低噪声低压低功耗运算放大器 10-MHz LOW-NOISE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS10 - MHz的低噪声低压低功耗运算放大器 10-MHz LOW-NOISE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS低电压运算放大器,LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2.01 mA 2.01 mA 2.01 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 80 dB - 80 dB

输入补偿漂移 600 nV/K 600 nV/K 600 nV/K

带宽 10.0 MHz 10.0 MHz 10 MHz

转换速率 5.25 V/μs 5.25 V/μs 5.25 V/μs

增益频宽积 10 MHz 10 MHz 10 MHz

输入补偿电压 80 µV 80 µV 80 µV

输入偏置电流 260 nA 260 nA 260 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - - 10 MHz

共模抑制比(Min) - 80 dB 80 dB

电源电压 - - 2.2V ~ 5V

电源电压(Max) - - 5 V

电源电压(Min) - - 2.2 V

输出电流 - 52.6mA @5V -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15