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LT1013DDR、LT1013DIDR、LT1013IS8#PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LT1013DDR LT1013DIDR LT1013IS8#PBF

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DDR  芯片, 精密运算放大器, 2路TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DIDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 0.4V/US, SOIC-8, 整卷LINEAR TECHNOLOGY  LT1013IS8#PBF  运算放大器, 双路, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Linear Technology (凌力尔特)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 350 µA 350 µA 350 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 8

共模抑制比 97 dB 97 dB -

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K -

带宽 1 MHz 1 MHz 10 Hz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz -

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 15 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz -

共模抑制比(Min) 97 dB 97 dB 97 dB

电源电压 5V ~ 30V 5V ~ 30V -

电源电压(Max) 44 V - -

电源电压(Min) 4 V - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 3.988 mm

高度 1.58 mm - 1.498 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -