CSD16415Q5、FDMS8560S、CSD16414Q5对比区别
型号 CSD16415Q5 FDMS8560S CSD16414Q5
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFETPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 8-VSON-CLIP Power-56-8 VSON-Clip-8
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 0.0015 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 3.2 W 2.5W (Ta), 65W (Tc) 3.2 W
阈值电压 1.5 V - 1.6 V
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 38A 35A 100 A
上升时间 30 ns - 24 ns
输入电容(Ciss) 4100pF @12.5V(Vds) 4350pF @13V(Vds) 3650pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max) 3.2 W - 3.2 W
下降时间 12.7 ns - 11.1 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta) 2.5W (Ta), 65W (Tc) 3.2W (Ta)
针脚数 8 - -
长度 6.1 mm 5.1 mm 6.1 mm
宽度 5.1 mm 5.85 mm 5.1 mm
高度 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm
封装 8-VSON-CLIP Power-56-8 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15