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IRLML6302TR、IRLML6302TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6302TR IRLML6302TRPBF

描述 SOT-23P-CH 20V 0.78AP沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 - 0.54 W

漏源极电阻 - 0.6 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 540mW (Ta) 540 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 620 mA 0.78A

上升时间 18 ns 18 ns

热阻 - 230℃/W (RθJC)

输入电容(Ciss) 97pF @15V(Vds) 97pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 540 mW

下降时间 22 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 540mW (Ta) 540 mW

额定电压(DC) -20.0 V -

额定电流 -620 mA -

产品系列 IRLML6302 -

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17