IRLML6302TRPBF
数据手册.pdfP沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
立创商城:
P沟道 20V 780mA
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6302TRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MOSFET; Power; P-Ch; VDSS -20V; RDSON 0.6Ohm; ID -0.78A; Micro3; PD 540mW; VGS +/-12V
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin Micro T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin Micro T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# INFINEON IRLML6302TRPBF MOSFET Transistor, P Channel, -780 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
儒卓力:
**MOSFET P-CHANNEL -20V -0.62A **
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
