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TL061CDR、TLE2061MD、TL061CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL061CDR TLE2061MD TL061CD

描述 JFET输入OP神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERSTL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - ≤80 mA -

供电电流 200 µA 290 µA 200 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 70 dB 65 dB 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 6.00 µV/K -

带宽 1.00 MHz 1.8 MHz 1 MHz

转换速率 3.50 V/μs 3.40 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1.8 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 600 µV 3 mV

输入偏置电流 30 pA 4 pA 30 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -55 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 2 MHz -

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 70 dB

电源电压 7V ~ 36V - 6V ~ 36V

耗散功率 - - 680 mW

耗散功率(Max) - - 680 mW

电源电压(Max) - - 36 V

电源电压(Min) - - 6 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.9 mm

高度 1.58 mm - 1.25 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC