BFG591、BFG591,115、BFG591T/R对比区别

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型号 BFG591 BFG591,115 BFG591T/R

描述 NXP  BFG591  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 2 W, 200 mA, 90 hFETrans RF BJT NPN 15V 0.2A 2000mW 4Pin(3+Tab) SC-73 T/RTransistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 2 W 2 W -

直流电流增益(hFE) 90 90 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

频率 - 7000 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

增益 - 13dB ~ 7.5dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @70mA, 8V -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -