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MJH11017、MJH11017G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJH11017 MJH11017G

描述 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150WON SEMICONDUCTOR  MJH11017G  达林顿双极晶体管

数据手册 --

制造商 Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-247-3

频率 - 3 MHz

额定电压(DC) - -150 V

额定电流 - -15.0 A

针脚数 - 4

极性 - PNP, P-Channel

耗散功率 - 150 W

击穿电压(集电极-发射极) - 150 V

集电极最大允许电流 - 15A

最小电流放大倍数(hFE) - 400 @10A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 15000

额定功率(Max) - 150 W

直流电流增益(hFE) - 15000

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 150000 mW

长度 - 15.2 mm

宽度 - 4.9 mm

高度 - 12.2 mm

封装 - TO-247-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99