IPD50R280CEATMA1、IPD50R380CE、IPD50R280CE对比区别
型号 IPD50R280CEATMA1 IPD50R380CE IPD50R280CE
描述 INFINEON IPD50R280CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 VInfineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 92 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.25 Ω 350 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 92 W 98 W 119 W
阈值电压 3 V 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 13A 9.9A 13A
上升时间 6.4 ns 5.6 ns 6.4 ns
输入电容(Ciss) 773pF @100V(Vds) 584pF @100V(Vds) 773pF @100V(Vds)
下降时间 7.6 ns 8.6 ns 7.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 119W (Tc) 73W (Tc) 92W (Tc)
额定功率(Max) - 73 W 92 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 500 V -
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC