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MUN5135T1G、SMUN2111T1、MUN5135T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5135T1G SMUN2111T1 MUN5135T1

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorSC-59 PNP 50V 100mA偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SC-70-3 SC-59 SC-70-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

耗散功率 0.31 W - 310 mW

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 202 mW - 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW - 310 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

封装 SC-70-3 SC-59 SC-70-3

高度 - - 0.85 mm

宽度 1.24 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -