FDH27N50、STW20NK50Z、STD15NF10T4对比区别
型号 FDH27N50 STW20NK50Z STD15NF10T4
描述 27A , 500V , 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-252-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 100 V
额定电流 27.0 A 17.0 A 23.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 190 mΩ 0.23 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 450 W 190 W 70 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 100 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 27.0 A 17.0 A 23.0 A
上升时间 54 ns 20 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 3550pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 450 W 190 W 70 W
下降时间 54 ns 15 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 450W (Tc) 190W (Tc) 70W (Tc)
额定功率 - 190 W -
输入电容 3.55 nF 2600 pF -
栅电荷 56.0 nC - -
长度 15.87 mm 15.75 mm 6.6 mm
宽度 4.82 mm 5.15 mm 6.2 mm
高度 20.82 mm 20.15 mm 2.4 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99