锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDH27N50
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDH27N50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 27.0 A

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 450 W

输入电容 3.55 nF

栅电荷 56.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 27.0 A

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 3550pF @25VVds

额定功率Max 450 W

下降时间 54 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDH27N50引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDH27N50
型号 制造商 描述 购买
FDH27N50 Fairchild 飞兆/仙童 27A , 500V , 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET 搜索库存
替代型号FDH27N50
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDH27N50

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-247 N-Channel 500V 27A 190mohms 3.55nF

当前型号

27A , 500V , 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET

当前型号

型号: STW20NK50Z

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ

功能相似

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

FDH27N50和STW20NK50Z的区别

型号: STD18N55M5

品牌: 意法半导体

封装: DPAK N-Channel 550V 16A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

FDH27N50和STD18N55M5的区别

型号: SPA04N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 800V 4A

功能相似

INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

FDH27N50和SPA04N80C3的区别