额定电压DC 500 V
额定电流 27.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 450 W
输入电容 3.55 nF
栅电荷 56.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 27.0 A
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 3550pF @25VVds
额定功率Max 450 W
下降时间 54 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDH27N50 | Fairchild 飞兆/仙童 | 27A , 500V , 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDH27N50 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-247 N-Channel 500V 27A 190mohms 3.55nF | 当前型号 | 27A , 500V , 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET | 当前型号 | |
型号: STW20NK50Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FDH27N50和STW20NK50Z的区别 | |
型号: STD18N55M5 品牌: 意法半导体 封装: DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FDH27N50和STD18N55M5的区别 | |
型号: SPA04N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | FDH27N50和SPA04N80C3的区别 |