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TLV2262IDG4、TLV2262QDRG4、TLV2262ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2262IDG4 TLV2262QDRG4 TLV2262ID

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLV2262ID  运算放大器, 双路, 710 kHz, 2个放大器, 0.55 V/µs, 2.7V 至 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 400 µA 400 µA 400 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W - 0.725 W

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 670 kHz 670 kHz 710 kHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 550 mV/μs

增益频宽积 710 kHz 710 kHz 710 kHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

增益带宽 0.71 MHz - 0.71 MHz

输出电流 - - ≤50 mA

针脚数 - - 8

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 725 mW

共模抑制比(Min) - - 70 dB

电源电压 - - 2.7V ~ 8V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15