IRF7466TR、SI4386DY-T1-E3、STS11N3LLH5对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF7466TR SI4386DY-T1-E3 STS11N3LLH5

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/RSI4386DY-T1-E3 编带STMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 7 mΩ 0.0117 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 3.1 W 2.7 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - - 724pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.47 W 2.7 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 3100 mW 2.7W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 11.0 A - -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 16.0 A -

上升时间 2.80 ns 9 ns -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17