额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.0 A
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 2.80 ns
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
封装 SOIC
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF7466TR | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRF7466TR 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC 30V 11A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/R | 当前型号 | |
型号: FDS6690A 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 12.5mohms 1.21nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V | IRF7466TR和FDS6690A的区别 | |
型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF7466TR和STS11NF30L的区别 | |
型号: SI4386DY-T1-E3 品牌: 威世 封装: 8-SOIC N-Channel 30V 16A 7mΩ | 功能相似 | SI4386DY-T1-E3 编带 | IRF7466TR和SI4386DY-T1-E3的区别 |