2N6784、JAN2N6784、2N6784.MODR1对比区别

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型号 2N6784 JAN2N6784 2N6784.MODR1

描述 Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,TO-39 N-CH 200V 2.25A2.25A, 200V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 MOS管

封装 - TO-39 BCY

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-39 BCY

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 15 W -

漏源极电压(Vds) - 200 V -

连续漏极电流(Ids) - 2.25A -

上升时间 - 20 ns -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 15W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -