JAN2N6784
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6784中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 15 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 2.25A
上升时间 20 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta, 15W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6784引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N6784
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6784 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 N-CH 200V 2.25A | 当前型号 | TO-39 N-CH 200V 2.25A | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N6784 品牌： 美高森美 封装： ~8.33°C/W | 功能相似 | MOSFET N-CH | JAN2N6784和JANTXV2N6784的区别 |
| 型号： IRFF210PBF 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | TO-39 N-CH 200V 2.25A | JAN2N6784和IRFF210PBF的区别 |
| 型号： 2N6784 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A ID, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | JAN2N6784和2N6784的区别 |