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MT46H64M32LFBQ-48 WT:C、MT46H64M32LFCX-5 WT:B、MT46H64M32LFCX-48 WT:B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46H64M32LFBQ-48 WT:C MT46H64M32LFCX-5 WT:B MT46H64M32LFCX-48 WT:B

描述 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90Pin VFBGAIC SDRAM 2GBIT 208MHz 90VFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-90 VFBGA-90 VFBGA-90

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 90 90 -

工作电压 - 1.80 V 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 150 mA - -

位数 32 32 -

存取时间 5.0 ns - -

存取时间(Max) 5ns, 6.5ns 6.5ns, 5ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -25 ℃ -25 ℃ -

封装 BGA-90 VFBGA-90 VFBGA-90

工作温度 -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -