MT46H64M32LFBQ-48 WT:C

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb 64M x 32 Parallel 208MHz 5ns 90-VFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA

安富利:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2G-Bit 64M x 32 1.8V 90 -Pin VF-BGA

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DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA

MT46H64M32LFBQ-48 WT:C中文资料参数规格

技术参数

供电电流 150 mA

位数 32

存取时间 5.0 ns

存取时间Max 5ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT46H64M32LFBQ-48 WT:C引脚图与封装图

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替代型号MT46H64M32LFBQ-48 WT:C

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型号： MT46H64M32LFBQ-48 WT:C 品牌： Micron 镁光封装： BGA	当前型号	DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90Pin VFBGA	当前型号
型号： MT46H64M32LFCX-48 WT:B 品牌：镁光封装：	类似代替	IC SDRAM 2GBIT 208MHz 90VFBGA	MT46H64M32LFBQ-48 WT:C和MT46H64M32LFCX-48 WT:B的区别
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