HUF75545S3、IRF2807ZL、FDP75N08A对比区别

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型号 HUF75545S3 IRF2807ZL FDP75N08A

描述 75A ， 80V ， 0.010 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETTO-262 N-CH 75V 89AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP75N08A  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 80.0 V - 75.0 V

额定电流 75.0 A - 75.0 A

漏源极电阻 8.20 mΩ - 11 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 270W (Tc) 170W (Tc) 137 W

漏源极电压(Vds) 80 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 80.0 V - 75 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 89A 75.0 A

输入电容(Ciss) 3750pF @25V(Vds) 3270pF @25V(Vds) 4468pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 270 W - 137 W

耗散功率(Max) 270W (Tc) 170W (Tc) 137W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 4.47 nF

栅电荷 - - 104 nC

上升时间 - - 212 ns

下降时间 - - 147 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 9.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99