MUN5113DW1T1G、UMB2NTN、PUMB2,115对比区别

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型号 MUN5113DW1T1G UMB2NTN PUMB2,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5113DW1T1G  单晶体管 双极, 双PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFEROHM  UMB2NTN  双极晶体管阵列, 双路, PNP, 50 V, 150 mW, -100 mA, 68 hFE, SOT-363NXP  PUMB2,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-363

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 250 mW 150 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 150 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 150 mW 300 mW

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -30.0 mA -

无卤素状态 Halogen Free - -

直流电流增益(hFE) 80 68 -

额定功率 - 0.15 W -

增益带宽 - 250 MHz -

高度 - 0.9 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 TSSOP-363

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -