FDU8880、ISL9N310AD3、FDU7030BL对比区别

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型号 FDU8880 ISL9N310AD3 FDU7030BL

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 58A ，10M N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10mN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

漏源极电阻 10.0 mΩ 15.0 mΩ 9.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55W (Tc) 70 W 2.8 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 58.0 A 35.0 A 56.0 A

下降时间 - 38 ns 13 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 58.0 A - 56.0 A

通道数 - - 1

输入电容 1.26 nF - 1.42 nF

栅电荷 23.0 nC - 14.0 nC

上升时间 91.0 ns - 9 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @15V(Vds) - 1425pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 55 W - 1.3 W

耗散功率(Max) 55W (Tc) - 2.8W (Ta), 60W (Tc)

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 16.3 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -