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MPSW01、ZTX449对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW01 ZTX449

描述 一瓦高电流晶体管( NPN硅) One Watt High Current Transistors(NPN Silicon)TRANSISTOR NPN 30V 1000mA E-LINE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-92 TO-226-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A

极性 N-Channel NPN

耗散功率 1.00 W 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30.0 V 30 V

集电极最大允许电流 - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @500mA, 2V

额定功率(Max) - 1 W

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW

封装 TO-92 TO-226-3

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 200℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - -