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2DB1386Q-13、FJC1386QTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2DB1386Q-13 FJC1386QTF

描述 Trans GP BJT PNP 20V 5A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/RPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

引脚数 4 -

额定电压(DC) - -20.0 V

额定电流 - -5.00 A

极性 PNP PNP

耗散功率 1 W 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V

集电极最大允许电流 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @500mA, 2V 120 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 390

额定功率(Max) 1 W 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

频率 100 MHz -

耗散功率(Max) 1000 mW -

长度 - 4.7 mm

宽度 - 2.7 mm

高度 - 1.7 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 - EAR99