FJC1386QTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJC1386QTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 2.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJC1386QTF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FJC1386QTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJC1386QTF | Fairchild 飞兆/仙童 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 搜索库存 |
替代型号FJC1386QTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJC1386QTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-89 PNP -20V -5A | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： 2SB1386T100Q 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-243AA PNP -20V -5A 2000mW | 功能相似 | ROHM 2SB1386T100Q 单晶体管 双极, 双路, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE | FJC1386QTF和2SB1386T100Q的区别 |
| 型号： 2DB1386Q-13 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 PNP 1W | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 20V 5A Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | FJC1386QTF和2DB1386Q-13的区别 |