STD7NM50N-1、STP7NM50N、STD7NM50N对比区别
型号 STD7NM50N-1 STP7NM50N STD7NM50N
描述 N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP7NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 700 mohm, 10 V, 3 VN沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-251-3 TO-220-3 TO-252-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 700 mΩ 780 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 45W (Tc) 45 W 45 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
连续漏极电流(Ids) - 2.50 A 2.50 A
上升时间 - 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 400pF @50V(Vds) 400pF @50V(Vds)
下降时间 - 9 ns 9 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
额定功率(Max) 45 W 45 W -
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
封装 TO-251-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -