STD7NM50N-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 45W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 400pF @50VVds
额定功率Max 45 W
耗散功率Max 45W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD7NM50N-1引脚图与封装图
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在线购买STD7NM50N-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD7NM50N-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STD7NM50N-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD7NM50N-1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-251-3 | 当前型号 | N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD8NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STD7NM50N-1和STD8NM50N的区别 |
| 型号： STP7NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 2.5A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP7NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 700 mohm, 10 V, 3 V | STD7NM50N-1和STP7NM50N的区别 |
| 型号： STD7NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel 2.5A | 功能相似 | N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | STD7NM50N-1和STD7NM50N的区别 |