STB40NF20、STP40NF20、STB40N20对比区别

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型号 STB40NF20 STP40NF20 STB40N20

描述 STMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STP40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 VN沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 40.0 A 40.0 A 40.0 A

漏源极电阻 0.045 Ω 0.038 Ω 38.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 160 W 160W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A, 40.0 A 25.0 A, 40.0 A 40.0 A

上升时间 44 ns 44 ns 44 ns

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 22 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)

针脚数 3 3 -

阈值电压 3 V 3 V -

输入电容 2.50 nF 2.50 nF -

栅电荷 75.0 nC 75.0 nC -

额定功率(Max) 160 W 160 W -

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 9.35 mm 4.6 mm -

高度 4.6 mm 15.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -