STB40N20中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 40.0 A
漏源极电阻 38.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 44 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB40N20引脚图与封装图
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在线购买STB40N20
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB40N20 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB40N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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