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BQ24352DSGR、BQ24352DSGT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ24352DSGR BQ24352DSGT

描述 过压和过流充电器前端保护IC,具有集成FET充电 Over-Voltage and Over-Current Charger Front-end Protection IC With Integrated Charging FET过压和过流充电器前端保护IC,具有集成FET充电 Over-Voltage and Over-Current Charger Front-end Protection IC With Integrated Charging FET

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电池管理芯片电池管理芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 WSON-8 WSON-8

输出电压 5.5 V 5.5 V

输出电流 - 0.001 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.4V ~ 15V -

高度 - 0.75 mm

封装 WSON-8 WSON-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99