AD820BRZ、AD820BRZ-REEL、TLE2061AID对比区别

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型号 AD820BRZ AD820BRZ-REEL TLE2061AID

描述 ANALOG DEVICES  AD820BRZ  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚单电源，轨到轨，低功耗， FET输入运算放大器 Single-Supply, Rail-to-Rail, Low Power FET-Input Op AmpTEXAS INSTRUMENTS  TLE2061AID  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 18.0 V

输出电流 - - ≤80 mA

供电电流 700 µA 700 µA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

共模抑制比 80 dB 80.0 dB 65 dB

输入补偿漂移 - - 6.00 µV/K

带宽 1.8 MHz - 1.8 MHz

转换速率 3.00 V/μs 3.00 V/μs 3.40 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.9 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 500 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 4 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.9 MHz - 2 MHz

共模抑制比(Min) 72 dB 72 dB 65 dB

输入电容 2.80 pF 2.80 pF -

输入阻抗 10.0 TΩ 10.0 TΩ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

耗散功率 1 W - -

电源电压 5V ~ 36V - -

电源电压(Max) 30 V - -

电源电压(Min) 5 V - -

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

军工级 No No -

ECCN代码 EAR99 - -