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BC848B、BC848B-13-F、BC847,235对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848B BC848B-13-F BC847,235

描述 Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/RTO-236AB NPN 45V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

频率 - 300 MHz 100 MHz

极性 - NPN NPN

耗散功率 250 mW 0.35 W 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 450 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 310 mW 250 mW

耗散功率(Max) 250 mW 350 mW 250 mW

增益频宽积 100 MHz - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -