2SC5108、BFR280、MMBTH10-4LT1G对比区别

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型号 2SC5108 BFR280 MMBTH10-4LT1G

描述 Silicon NPN Epitaxial Planar Type TransistorNPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorNPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-23 SOT-23-3

频率 - - 650 MHz

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 4.00 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

耗散功率 - - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 25 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 120 @4mA, 10V

额定功率(Max) - - 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 120

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 225 mW

封装 - SOT-23 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99