CY7C1354B-166BGC、CY7C1354C-166BGI、CY7C1354C-166BGC对比区别

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型号 CY7C1354B-166BGC CY7C1354C-166BGI CY7C1354C-166BGC

描述 9 -MB （ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

封装 BGA-119 BGA BGA-119

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 119

封装 BGA-119 BGA BGA-119

高度 - - 1.46 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Tray

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 166MHz (max) - -

存取时间 166 µs - 3.5 ns

内存容量 9000000 B - -

电源电压 3.135V ~ 3.6V - 3.135V ~ 3.6V

供电电流 - - 180 mA

位数 - - 36

存取时间(Max) - - 3.5 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 -