PMN35EN、SI3424DV-T1-E3对比区别
描述 N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsVISHAY SI3424DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 800 mV
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-457 TSOP
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.025 Ω 0.023 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 1.14 W
阈值电压 1.5 V 800 mV
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.1A 5.00 A
输入电容(Ciss) 334pF @15V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 4.17 W -
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
长度 3.1 mm -
宽度 1.7 mm -
高度 1 mm -
封装 SOT-457 TSOP
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown -
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15