针脚数 6
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.14 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
封装 TSOP
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI3424DV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3424DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 800 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI3424DV-T1-E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: TSOP N-Channel 30V 5A 28mΩ | 当前型号 | VISHAY SI3424DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 800 mV | 当前型号 | |
型号: PMN35EN 品牌: 恩智浦 封装: SOT-457 N-Channel 30V 5.1A | 功能相似 | N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | SI3424DV-T1-E3和PMN35EN的区别 |