IRF6893MTR1PBF、IRF6893MTRPBF对比区别

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型号 IRF6893MTR1PBF IRF6893MTRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 29AN沟道 25V 29A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc)

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 29A 29A

上升时间 83 ns 83 ns

输入电容(Ciss) 3480pF @13V(Vds) 3480pF @13V(Vds)

下降时间 33 ns 33 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc)

封装 Direct-FET Direct-FET

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99