IRF6893MTR1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6893MTR1PBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.1W Ta, 69W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 83 ns
输入电容Ciss 3480pF @13VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 69W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6893MTR1PBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6893MTR1PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6893MTR1PBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 25V 29A | 搜索库存 |
替代型号IRF6893MTR1PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6893MTR1PBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 25V 29A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 25V 29A | 当前型号 |
| 型号： IRF6893MTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 25V 29A | 完全替代 | N沟道 25V 29A | IRF6893MTR1PBF和IRF6893MTRPBF的区别 |