TL082IDRQ1、LF353M/NOPB、BA4560对比区别

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型号 TL082IDRQ1 LF353M/NOPB BA4560

描述 JFET输入运算放大器 JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERTEXAS INSTRUMENTS  LF353M/NOPB.  四路运算放大器双高转换率运算放大器 Dual high slew rate operational amplifier

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

输出电流 - 20.0 mA -

供电电流 1.4 mA 3.6 mA 4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 -

共模抑制比 75dB ~ 86dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 18.0 µV/K 10.0 µV/K -

带宽 3.00 MHz 4 MHz 2 MHz

转换速率 13.0 V/μs 13.0 V/μs 4.00 V/μs

增益频宽积 3 MHz 4 MHz 10 MHz

输入补偿电压 3 mV 5 mV 500 µV

输入偏置电流 30 pA 50 pA 50 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 3 MHz 4 MHz 10 MHz

共模抑制比(Min) 75 dB 70 dB 70 dB

电源电压 - 10V ~ 36V 36 VDC

电源电压(Max) 36 V 36 V 30 V

电源电压(Min) 7 V 10 V 8 V

电源电压(DC) - - 18.0V (max)

工作电压 - - 36 V

耗散功率 - - 800 mW

耗散功率(Max) - - 800 mW

长度 4.9 mm 4.9 mm 9.3 mm

宽度 3.91 mm 3.9 mm 6.5 mm

高度 1.58 mm 1.45 mm 2.59 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -