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APT10025JVFR、APT10026JLL、APT10026JFLL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10025JVFR APT10026JLL APT10026JFLL

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin SOT-227SOT-227 N-CH 1000V 30A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 - 4

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 34.0 A 30.0 A 30.0 A

耗散功率 700 W - 595 W

输入电容 18.0 nF 7.11 nF 7.11 nF

栅电荷 990 nC 267 nC 267 nC

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1.00 kV

连续漏极电流(Ids) 34.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 20 ns - 8 ns

输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 7114pF @25V(Vds) 7114pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns - 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 700000 mW - 595000 mW

极性 - - N-CH

额定功率(Max) - 595 W -

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free