APT10025JVFR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10025JVFR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 34.0 A
耗散功率 700 W
输入电容 18.0 nF
栅电荷 990 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 34.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 15000pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10025JVFR引脚图与封装图
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在线购买APT10025JVFR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10025JVFR | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |
替代型号APT10025JVFR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10025JVFR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 1kV 34A 18nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227 | 当前型号 |
| 型号： APT10026JFLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 1kV 30A 7.11nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 1000V 30A | APT10025JVFR和APT10026JFLL的区别 |
| 型号： APT10026JLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 30A 7.11nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin SOT-227 | APT10025JVFR和APT10026JLL的区别 |
| 型号： IXFN34N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 N-CH 1000V 34A | 功能相似 | SOT-227B N-CH 1000V 34A | APT10025JVFR和IXFN34N100的区别 |